雷電沖擊發(fā)生器

雷電沖擊發(fā)生器

適應范圍

本發(fā)生器適用于220kV及以下電壓等級的空氣間隙、復合絕緣子、套管、盤(pán)型懸式絕緣子、互感器等試品的雷電沖擊電壓全波和雷電沖擊陡波及標準操作波試驗。

雷電沖擊發(fā)生器使用條件

海拔高度：不超過(guò)1000米

環(huán)境溫度：-25℃—+40℃

相對濕度：不大于85%

zui大日溫差：25℃

使用環(huán)境：戶(hù)內

無(wú)導電塵埃

無(wú)火災及爆炸危險

無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體

電源電壓的波形為正弦波，波形畸變率<5%

接地電阻不大于0.5Ω

對周?chē)踩嚯x不小于2米                   

三、遵循標準

GB/T 311.1-1997 高壓輸變電設備的絕緣與配合

GB/T 16927.1 高電壓試驗技術(shù)    *部分    一般試驗要求

GB/T 16927.2 高電壓試驗技術(shù)    第二部分    測量系統

GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗用數字記錄儀

ZBF  24001    沖擊電壓試驗實(shí)施細則

JB/T 7616 高壓線(xiàn)路絕緣子陡波沖擊耐受試驗

DL/T 557 高電壓線(xiàn)路絕緣子陡波沖擊試驗、定義、試驗方法和判據

GB 1000.1-1988       高壓線(xiàn)路針式瓷絕緣子 技術(shù)條件

GB/T 775.2-2003      絕緣子試驗方法 第2部分: 電氣試驗方法

GB/T 2900.8-1995     電工術(shù)語(yǔ) 絕緣子

GB/T 7253-2005        標稱(chēng)電壓高于1000V的架空線(xiàn)路絕緣子 交流系統用瓷或玻璃絕緣子件 盤(pán)形懸式絕緣子件的特性

GB 1001-1986         盤(pán)形懸式絕緣子技術(shù)條件

GB/T 20642-2006      高壓線(xiàn)路絕緣子空氣中沖擊擊穿試驗

四、額定參數值

標稱(chēng)電壓：±900kV

級電壓：±150kV

額定能量：21.9kJ

每級主電容： 0.325μF  150kV(單臺脈沖電容器0.65μF/75kV)

沖擊總電容：0.05417μF

總級數：6級

負荷電容：300-2000PF以下能產(chǎn)生以下幾種波形

1、標準雷電沖擊電壓全波，±1.2/50μs電壓利用系數＞90%(空載)；波頭時(shí)間1.2±30%微秒，波尾時(shí)間50±20%微秒。

2、1000～1500V/nS合成絕緣子陡波沖擊電壓，zui大幅值600kV。

3、盤(pán)形懸式絕緣子    2.8p.u.

4、針式絕緣子        2.0p.u.

5、柱式絕緣子        2.3p.u.

這幾種沖擊電壓波形參數及其偏差均符合有關(guān)國家GB311及GB16927標準的要求。

五、主要部件

• 充電部分
• 采用恒流充電裝置
• 采用絕緣筒油浸式充電變壓器，原邊電壓220V，副邊電壓80kV，額定容量5kVA，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；
• 采用2DL-200kV/100mA的高壓整流硅堆；
• 充電極性由電機驅動(dòng)自動(dòng)轉換；
• 高壓整流硅堆保護電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；       
• 沖擊發(fā)生器本體
• 采用不對稱(chēng)倍壓充電方式，額定輸出電壓±150kV；
• 恒流充電裝置在20%～100%額定充電電壓范圍內
• 實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩定性不大于±1%，充電電壓的可調精度為1%；
• 直流電阻分壓器采用150kV，300MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內，低壓臂上的電壓信號用屏蔽電纜引入控制臺內。
• 自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用電磁鐵分合接地機構，試驗停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護電阻接地。
• 恒流充電的電感、電容裝在控制臺內，充電變壓器、高壓整流硅堆、保護電阻、自動(dòng)換極性裝置、自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)和絕緣支柱等安裝在一移動(dòng)式底盤(pán)上。